
膜厚仪EH100
应用领域 |
仪器适合于工业和科研中的常规测量,可应用于多种薄膜镀层工艺中,如化学机械抛光、化学气象沉积、物理气相沉积、旋涂成膜工艺等。 典型应用包括: 1、半导体:光刻胶、氧化物、氮化物等; 2、平板显示(包括LCD,PDP,OLED):a-Si, n+-a-Si, Gate-SiNx, MgO, AlQ3 , ITO, PR, CuPc, NPB, PVK, PAF, PEDT-PSS, Oxide, Polyimide等; 3、光学涂层:硬镀膜、增透膜、滤光膜等; 4、功能性涂料:增透型、自清洁型、电致变色型、油类、Al2O3等; 5、高分子聚合物:PVA, PET, PP, Dye, Npp, MNA, TAC, PR等。 |
主要特点 |
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技术指标 | |
光谱范围 |
U:245 – 1000nm V:370 – 1000 nm UI :245 – 1700nm VI:370 – 1700nm NIR:950 – 1700nm 其它光谱范围可定制 |
光谱分辨率 |
200 – 1000nm:1.6 nm 900 – 1700nm:3.2nm |
样品大小 |
典型晶圆尺寸:12吋(即直径300mm) 其它尺寸可定制 |
测量光斑 |
典型1.5mm 可选配微光斑组件,使光斑尺寸最小至20μm |
膜厚测量范围 (仅测膜厚时): |
U:1 nm – 40 um UI:1 nm – 250 um V:15 nm – 100 um VI:15 nm – 250 um NIR:100 nm – 250 um |
膜厚测量范围 (同时测膜厚和n、k时): |
U:50 nm以上 UI:50 nm以上 V:100 nm以上 VI:100 nm以上 NIR:300 nm以上 (对Si上的SiO2样品) |
膜层数目: |
1-4层 |
膜厚测量重复性 |
U:0.1 nm UI:0.1 nm V:0.1 nm VI:0.1 nm NIR:0.15nm (对Si上100 nm的SiO2样品) |
准确度 |
2 nm或0.4% (对Si上的SiO2样品) |
单次测量时间: |
典型时间1-2秒,与测量设置和样品性质有关 |